CEB75N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEB75N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEB75N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB75N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB75N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cet
 cep75n06 ceb75n06.pdf pdf_icon

CEB75N06

CEP75N06/CEB75N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 87A, RDS(ON) = 12m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa

 0.1. Size:418K  cet
 cep75n06g ceb75n06g.pdf pdf_icon

CEB75N06

CEP75N06G/CEB75N06GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 75A, RDS(ON) = 13m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

 8.1. Size:857K  cet
 cep75n10 ceb75n10.pdf pdf_icon

CEB75N06

CEP75N10/CEB75N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 72A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

 9.1. Size:394K  cet
 cep75a3 ceb75a3.pdf pdf_icon

CEB75N06

CEP75A3/CEB75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 69A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-263 & TO-220 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEF840L , CEF85N75 , CEB630N , CEB730G , CEB73A3G , CEB740A , CEB740G , CEB75A3 , IRF1407 , CEB75N06G , CEB75N10 , CEB80N15 , CEB830G , CEB83A3 , CEB83A3G , CEB840A , CEB840G .

 

 
Back to Top

 


 
.