CEB75N06G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEB75N06G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEB75N06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB75N06G даташит

 ..1. Size:418K  cet
 cep75n06g ceb75n06g.pdf pdf_icon

CEB75N06G

CEP75N06G/CEB75N06G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 75A, RDS(ON) = 13m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

 6.1. Size:324K  cet
 cep75n06 ceb75n06.pdf pdf_icon

CEB75N06G

CEP75N06/CEB75N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 87A, RDS(ON) = 12m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Pa

 8.1. Size:857K  cet
 cep75n10 ceb75n10.pdf pdf_icon

CEB75N06G

CEP75N10/CEB75N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 72A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

 9.1. Size:394K  cet
 cep75a3 ceb75a3.pdf pdf_icon

CEB75N06G

CEP75A3/CEB75A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 69A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-263 & TO-220 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEF85N75, CEB630N, CEB730G, CEB73A3G, CEB740A, CEB740G, CEB75A3, CEB75N06, 2SK3568, CEB75N10, CEB80N15, CEB830G, CEB83A3, CEB83A3G, CEB840A, CEB840G, CEB840L