CEP85N75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEP85N75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEP85N75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP85N75 даташит

 ..1. Size:434K  cet
 cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf pdf_icon

CEP85N75

CEP85N75/CEB85N75 CEF85N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP85N75 75V 12m 86A 10V CEB85N75 75V 12m 86A 10V CEF85N75 75V 12m 86A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through

 0.1. Size:435K  cet
 cep85n75v ceb85n75v.pdf pdf_icon

CEP85N75

CEP85N75V/CEB85N75V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 75V, 85A, RDS(ON) = 12m @VGS = 12V. RDS(ON) = 13m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE

 9.1. Size:451K  cet
 cep85a3 ceb85a3.pdf pdf_icon

CEP85N75

CEP85A3/CEB85A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 90A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-263 & TO-220 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

 9.2. Size:912K  ncepower
 ncep85t15d.pdf pdf_icon

CEP85N75

http //www.ncepower.com NCEP85T15D NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP85T15D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for DS(ON) g high-frequency switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEP830G, CEP83A3, CEP83A3G, CEP840A, CEP840G, CEP840L, CEP84A4, CEP85A3, AOD4184A, CEP85N75V, CEP9060N, CEP93A3, CEBF634, CEBF640, CED01N65, CED01N65A, CED01N6G