Справочник MOSFET. CEBF634

 

CEBF634 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEBF634
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEBF634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf pdf_icon

CEBF634

CEPF634/CEBF634CEIF634/CEFF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF634 250V 0.45 8.1A 10VCEBF634 250V 0.45 8.1A 10VCEIF634 250V 0.45 8.1A 10VCEFF634 250V 0.45 8.1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-

 8.1. Size:512K  cet
 cepf630 cebf630.pdf pdf_icon

CEBF634

 9.1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEBF634

CEPF640/CEBF640 CEFF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF640 200V 0.15 19A 10VCEBF640 200V 0.15 19A 10VCEFF640 200V 0.15 19A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Другие MOSFET... CEP840G , CEP840L , CEP84A4 , CEP85A3 , CEP85N75 , CEP85N75V , CEP9060N , CEP93A3 , IRFP064N , CEBF640 , CED01N65 , CED01N65A , CED01N6G , CED01N7 , CED02N65A , CED02N65G , CED02N6A .

 

 
Back to Top

 


 
.