Справочник MOSFET. CED01N6G

 

CED01N6G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CED01N6G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для CED01N6G

 

 

CED01N6G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ced01n6g ceu01n6g.pdf

CED01N6G CED01N6G

CED01N6G/CEU01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V.High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.DGDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

 7.1. Size:393K  cet
 ceu01n65a ced01n65a.pdf

CED01N6G CED01N6G

CED01N65A/CEU01N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.9A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 7.2. Size:395K  cet
 ceu01n65 ced01n65.pdf

CED01N6G CED01N6G

CED01N65/CEU01N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

 8.1. Size:415K  cet
 ced01n7 ceu01n7.pdf

CED01N6G CED01N6G

CED01N7/CEU01N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 0.8A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top