CED02N65G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CED02N65G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 75 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5.5 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED02N65G Datasheet (PDF)
ceu02n65g ced02n65g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CED02N65G/CEU02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 1.8A, RDS(ON) = 5.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless
ceu02n65a ced02n65a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CED02N65A/CEU02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
ceu02n6g ced02n6g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CED02N6G/CEU02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 2A, RDS(ON) = 5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw
ceu02n6a ced02n6a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CED02N6A/CEU02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o
Другие MOSFET... CEP93A3 , CEBF634 , CEBF640 , CED01N65 , CED01N65A , CED01N6G , CED01N7 , CED02N65A , IRF740 , CED02N6A , CED02N6G , CED02N7G , CED02N7G-1 , CED02N9 , CED03N8 , CED04N6 , CED04N65 .