CED08N6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CED08N6A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED08N6A Datasheet (PDF)
ceu08n6a ced08n6a.pdf

CED08N6A/CEU08N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие MOSFET... CED02N9 , CED03N8 , CED04N6 , CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 , CED07N65A , P55NF06 , CED12N10 , CED12N10L , CED14G04 , CEFF634 , CEFF640 , CEPF634 , CEPF640 , CEU01N65 .
History: AOTL66915 | AP2762R-A | AMA460N
History: AOTL66915 | AP2762R-A | AMA460N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31