Справочник MOSFET. CEFF634

 

CEFF634 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEFF634
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEFF634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf pdf_icon

CEFF634

CEPF634/CEBF634CEIF634/CEFF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF634 250V 0.45 8.1A 10VCEBF634 250V 0.45 8.1A 10VCEIF634 250V 0.45 8.1A 10VCEFF634 250V 0.45 8.1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-

 9.1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEFF634

CEPF640/CEBF640 CEFF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF640 200V 0.15 19A 10VCEBF640 200V 0.15 19A 10VCEFF640 200V 0.15 19A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUK7K8R7-40E | HUF76013D3S | CED25N15L | SWP078R08E8T | HUF76445S3ST | UT9435HG-S08-R | UTD351

 

 
Back to Top

 


 
.