Справочник MOSFET. CEPF634

 

CEPF634 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEPF634
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEPF634

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEPF634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf pdf_icon

CEPF634

CEPF634/CEBF634CEIF634/CEFF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF634 250V 0.45 8.1A 10VCEBF634 250V 0.45 8.1A 10VCEIF634 250V 0.45 8.1A 10VCEFF634 250V 0.45 8.1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-

 8.1. Size:512K  cet
 cepf630 cebf630.pdf pdf_icon

CEPF634

 9.1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEPF634

CEPF640/CEBF640 CEFF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF640 200V 0.15 19A 10VCEBF640 200V 0.15 19A 10VCEFF640 200V 0.15 19A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Другие MOSFET... CED06N7 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 , CED12N10L , CED14G04 , CEFF634 , CEFF640 , 2SK3878 , CEPF640 , CEU01N65 , CEU01N65A , CEU01N6G , CEU01N7 , CEU02N65A , CEU02N65G , CEU02N6A .

History: TPCT4202 | DH100P30CB | SM3419NHQA | RS1G180MN | FQP12N60 | CPH6311 | KQB2N50

 

 
Back to Top

 


 
.