CEPF634. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEPF634

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEPF634

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEPF634 даташит

 ..1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf pdf_icon

CEPF634

CEPF634/CEBF634 CEIF634/CEFF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF634 250V 0.45 8.1A 10V CEBF634 250V 0.45 8.1A 10V CEIF634 250V 0.45 8.1A 10V CEFF634 250V 0.45 8.1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-

 8.1. Size:512K  cet
 cepf630 cebf630.pdf pdf_icon

CEPF634

 9.1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEPF634

CEPF640/CEBF640 CEFF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF640 200V 0.15 19A 10V CEBF640 200V 0.15 19A 10V CEFF640 200V 0.15 19A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Другие IGBT... CED06N7, CED07N65A, CED08N6A, CED12N10, CED12N10L, CED14G04, CEFF634, CEFF640, 8205A, CEPF640, CEU01N65, CEU01N65A, CEU01N6G, CEU01N7, CEU02N65A, CEU02N65G, CEU02N6A