CEU01N7 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEU01N7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEU01N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 18 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU01N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU01N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cet
 ced01n7 ceu01n7.pdf pdf_icon

CEU01N7

CED01N7/CEU01N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 0.8A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

 8.1. Size:393K  cet
 ceu01n65a ced01n65a.pdf pdf_icon

CEU01N7

CED01N65A/CEU01N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.9A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 8.2. Size:395K  cet
 ceu01n65 ced01n65.pdf pdf_icon

CEU01N7

CED01N65/CEU01N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

 8.3. Size:408K  cet
 ced01n6g ceu01n6g.pdf pdf_icon

CEU01N7

CED01N6G/CEU01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V.High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.DGDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CED14G04 , CEFF634 , CEFF640 , CEPF634 , CEPF640 , CEU01N65 , CEU01N65A , CEU01N6G , AON7408 , CEU02N65A , CEU02N65G , CEU02N6A , CEU02N6G , CEU02N7G , CEU02N7G-1 , CEU02N9 , CEU03N8 .

 

 
Back to Top

 


 
.