Справочник MOSFET. CEU02N9

 

CEU02N9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU02N9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU02N9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 ceu02n9 ced02n9.pdf pdf_icon

CEU02N9

CED02N9/CEU02N9N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES900V, 2A, RDS(ON) = 6.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C u

 8.1. Size:666K  cet
 ceu02n7g-1 ced02n7g-1.pdf pdf_icon

CEU02N9

CED02N7G-1/CEU02N7G-1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES720V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V.750V@Tc=150 C Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.2. Size:397K  cet
 ceu02n7g ced02n7g.pdf pdf_icon

CEU02N9

CED02N7G/CEU02N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 8.3. Size:417K  cet
 ceu02n65g ced02n65g.pdf pdf_icon

CEU02N9

CED02N65G/CEU02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 1.8A, RDS(ON) = 5.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEU01N6G , CEU01N7 , CEU02N65A , CEU02N65G , CEU02N6A , CEU02N6G , CEU02N7G , CEU02N7G-1 , AO3400 , CEU03N8 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A .

History: STP18NM80

 

 
Back to Top

 


 
.