CEU07N65A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU07N65A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU07N65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU07N65A даташит

 ..1. Size:400K  cet
 ced07n65a ceu07n65a.pdf pdf_icon

CEU07N65A

CED07N65A/CEU07N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 ..2. Size:401K  cet
 ceu07n65a ced07n65a.pdf pdf_icon

CEU07N65A

CED07N65A/CEU07N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

Другие IGBT... CEU02N7G-1, CEU02N9, CEU03N8, CEU04N6, CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, 13N50, CEU08N6A, CEU12N10, CEU12N10L, CEU14G04, CED16N10, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L