CEU07N65A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEU07N65A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CEU07N65A
CEU07N65A Datasheet (PDF)
ced07n65a ceu07n65a.pdf

CED07N65A/CEU07N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless
ceu07n65a ced07n65a.pdf

CED07N65A/CEU07N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
Другие MOSFET... CEU02N7G-1 , CEU02N9 , CEU03N8 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , TK10A60D , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L .
History: IXFN100N20
History: IXFN100N20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031