CED16N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED16N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED16N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED16N10L даташит

 ..1. Size:684K  cet
 ceu16n10l ced16n10l.pdf pdf_icon

CED16N10L

CED16N10L/CEU16N10L PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-P

 6.1. Size:623K  cet
 ceu16n10 ced16n10.pdf pdf_icon

CED16N10L

CED16N10/CEU16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

Другие IGBT... CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10, CEU12N10L, CEU14G04, CED16N10, AON6380, CED21A2, CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120, CED3172, CED3252, CED4060A