Справочник MOSFET. CED16N10L

 

CED16N10L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED16N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED16N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED16N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  cet
 ceu16n10l ced16n10l.pdf pdf_icon

CED16N10L

CED16N10L/CEU16N10LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-P

 6.1. Size:623K  cet
 ceu16n10 ced16n10.pdf pdf_icon

CED16N10L

CED16N10/CEU16N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

Другие MOSFET... CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , IRLZ44N , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 , CED3252 , CED4060A .

History: SHD224606 | P8008BV | SM3419NHQA | RS1G180MN | SUB65P04-15 | CPH6311 | KQB2N50

 

 
Back to Top

 


 
.