Справочник MOSFET. CED3120

 

CED3120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED3120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED3120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED3120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  cet
ced3120 ceu3120.pdfpdf_icon

CED3120

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 ..2. Size:409K  cet
ceu3120 ced3120.pdfpdf_icon

CED3120

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.1. Size:414K  cet
ceu3172 ced3172.pdfpdf_icon

CED3120

CED3172/CEU3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 9.2. Size:408K  cet
ceu3100 ced3100.pdfpdf_icon

CED3120

CED3100/CEU3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 51A , RDS(ON) = 10m @VGS = 10V. RDS(ON) = 17m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

Другие MOSFET... CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , 20N50 , CED3172 , CED3252 , CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N .

History: CS7456 | STF13N60M2 | IXTQ44P15T | HGN028NE6AL | SI7491DP | SIHFD014

 

 
Back to Top

 


 
.