Справочник MOSFET. CED3172

 

CED3172 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED3172
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED3172

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED3172 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 ceu3172 ced3172.pdf pdf_icon

CED3172

CED3172/CEU3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:409K  cet
 ced3120 ceu3120.pdf pdf_icon

CED3172

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.2. Size:409K  cet
 ceu3120 ced3120.pdf pdf_icon

CED3172

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.3. Size:408K  cet
 ceu3100 ced3100.pdf pdf_icon

CED3172

CED3100/CEU3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 51A , RDS(ON) = 10m @VGS = 10V. RDS(ON) = 17m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , IRF1407 , CED3252 , CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 .

History: CEU83A3

 

 
Back to Top

 


 
.