Справочник MOSFET. CED3172

 

CED3172 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CED3172
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для CED3172

 

 

CED3172 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 ceu3172 ced3172.pdf

CED3172 CED3172

CED3172/CEU3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:409K  cet
 ced3120 ceu3120.pdf

CED3172 CED3172

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.2. Size:409K  cet
 ceu3120 ced3120.pdf

CED3172 CED3172

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.3. Size:408K  cet
 ceu3100 ced3100.pdf

CED3172 CED3172

CED3100/CEU3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 51A , RDS(ON) = 10m @VGS = 10V. RDS(ON) = 17m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top