CED540N - аналоги и даташиты транзистора

 

CED540N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CED540N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED540N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED540N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 ceu540n ced540n.pdf pdf_icon

CED540N

CED540N/CEU540NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 25A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other

 8.1. Size:679K  cet
 ceu540l ced540l.pdf pdf_icon

CED540N

CED540L/CEU540LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 25A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... CED3120 , CED3172 , CED3252 , CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , 2SK3568 , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 .

History: 3SK108Q | IRHY7230CM | UT3N10L-TN3-R | IRHY597130CM | FDH15N50 | 3SK259 | NP16N04YUG

 

 
Back to Top

 


 
.