CED540N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED540N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED540N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED540N даташит

 ..1. Size:394K  cet
 ceu540n ced540n.pdf pdf_icon

CED540N

CED540N/CEU540N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 25A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other

 8.1. Size:679K  cet
 ceu540l ced540l.pdf pdf_icon

CED540N

CED540L/CEU540L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 25A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... CED3120, CED3172, CED3252, CED4060A, CED4060AL, CED40N10, CED4204, CED540L, 2SK3568, CED55N10, CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, CED6426