Справочник MOSFET. CED55N10

 

CED55N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED55N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  cet
 ceu55n10 ced55n10.pdf pdf_icon

CED55N10

CED55N10/CEU55N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие MOSFET... CED3172 , CED3252 , CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , STP80NF70 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 .

History: HMS60N10D | PK5G6EA | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | STN4260 | FDS6680S

 

 
Back to Top

 


 
.