Справочник MOSFET. CED55N10

 

CED55N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CED55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 84 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 240 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для CED55N10

 

 

CED55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  cet
 ceu55n10 ced55n10.pdf

CED55N10 CED55N10

CED55N10/CEU55N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NCE0140I2

 

 
Back to Top