CED55N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED55N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED55N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED55N10 даташит

 ..1. Size:862K  cet
 ceu55n10 ced55n10.pdf pdf_icon

CED55N10

CED55N10/CEU55N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие IGBT... CED3172, CED3252, CED4060A, CED4060AL, CED40N10, CED4204, CED540L, CED540N, 10N65, CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, CED6426, CED655