CED6060N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED6060N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED6060N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6060N даташит

 ..1. Size:420K  cet
 ceu6060n ced6060n.pdf pdf_icon

CED6060N

CED6060N/CEU6060N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 34A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

 9.1. Size:410K  cet
 ceu6086 ced6086.pdf pdf_icon

CED6060N

CED6086/CEU6086 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 50A, RDS(ON) = 8.7m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

 9.2. Size:360K  cet
 ced6042.pdf pdf_icon

CED6060N

CED6042/CEU6042 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 90A , RDS(ON) = 5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

 9.3. Size:410K  cet
 ceu6056 ced6056.pdf pdf_icon

CED6060N

CED6056/CEU6056 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 76A , RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CED4060A, CED4060AL, CED40N10, CED4204, CED540L, CED540N, CED55N10, CED6056, RFP50N06, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, CED6426, CED655, CED730G, CEU16N10