Справочник MOSFET. CED6060N

 

CED6060N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED6060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED6060N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  cet
ceu6060n ced6060n.pdfpdf_icon

CED6060N

CED6060N/CEU6060NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 34A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

 9.1. Size:410K  cet
ceu6086 ced6086.pdfpdf_icon

CED6060N

CED6086/CEU6086N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 50A, RDS(ON) = 8.7m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

 9.2. Size:360K  cet
ced6042.pdfpdf_icon

CED6060N

CED6042/CEU6042N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES60V, 90A , RDS(ON) = 5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

 9.3. Size:410K  cet
ceu6056 ced6056.pdfpdf_icon

CED6060N

CED6056/CEU6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 76A , RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

Другие MOSFET... CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , SKD502T , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 .

History: HSU80N03 | SPB11N60S5 | OSG60R1K2DF | ZXMN3F31DN8 | IPB65R380C6 | ME1303AT3 | JCS740CC

 

 
Back to Top

 


 
.