CED6060N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED6060N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED6060N
CED6060N Datasheet (PDF)
ceu6060n ced6060n.pdf

CED6060N/CEU6060NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 34A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe
ceu6086 ced6086.pdf

CED6086/CEU6086N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 50A, RDS(ON) = 8.7m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw
ced6042.pdf

CED6042/CEU6042N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES60V, 90A , RDS(ON) = 5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
ceu6056 ced6056.pdf

CED6056/CEU6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 76A , RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe
Другие MOSFET... CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , SKD502T , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 .
History: IPB240N03S4L-R8 | TK4Q60DA | CS12N60FA9H | WMM14N65C4 | HMS15N60F | MS65R170B
History: IPB240N03S4L-R8 | TK4Q60DA | CS12N60FA9H | WMM14N65C4 | HMS15N60F | MS65R170B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330