CEU3060 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEU3060 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEU3060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU3060

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU3060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cet
 ceu3060 ced3060.pdf pdf_icon

CEU3060

CED3060/CEU3060N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:417K  cet
 ced30p10 ceu30p10.pdf pdf_icon

CEU3060

CED30P10/CEU30P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -30A, RDS(ON) = 76m @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE

Другие MOSFET... CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , IRF520 , CEU3100 , CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 , CEU4204 .

History: SI3911DV-T1 | B4N80 | HGD059N08A | DMN2056U | PHB110NQ08T | NVD5414N | VBL1154N

 

 
Back to Top

 


 
.