Справочник MOSFET. CEU40N10

 

CEU40N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU40N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  cet
 ceu40n10 ced40n10.pdf pdf_icon

CEU40N10

CED40N10/CEU40N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 37A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:397K  cet
 ceu4060al ced4060al.pdf pdf_icon

CEU40N10

CED4060AL/CEU4060ALN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A, RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIM

 9.2. Size:398K  cet
 ced4060a ceu4060a.pdf pdf_icon

CEU40N10

CED4060A/CEU4060AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 15A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

 9.3. Size:398K  cet
 ceu4060a ced4060a.pdf pdf_icon

CEU40N10

CED4060A/CEU4060AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 15A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: RU3090M | CEU830G | NTMFD5875NL | NCE65T540K | STP22NS25Z | BRCS3710LRA | 60N06L-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.