CEU85A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU85A3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU85A3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU85A3 даташит

 ..1. Size:274K  cet
 ceu85a3 ced85a3.pdf pdf_icon

CEU85A3

CED85A3/CEU85A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 80A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие IGBT... CEU73A3G, CEU740A, CEU75A3, CEU830G, CEU83A3, CEU83A3G, CEU840A, CEU84A4, IRF540, CEU93A3, CEUF634, CEUF640, CED73A3G, CED740A, CED75A3, CED830G, CED83A3