CED740A - аналоги и даташиты транзистора

 

CED740A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CED740A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED740A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED740A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  cet
 ceu740a ced740a.pdf pdf_icon

CED740A

CED740A/CEU740AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES400V, 9A, RDS(ON) = 0.55 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

Другие MOSFET... CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 , CED73A3G , IRF1404 , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 .

History: FDD6682 | VBZE30N06 | RSR010N10FHA | VBZE30N03 | VBZE30N02

 

 
Back to Top

 


 
.