CED740A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED740A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED740A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED740A даташит

 ..1. Size:416K  cet
 ceu740a ced740a.pdf pdf_icon

CED740A

CED740A/CEU740A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 400V, 9A, RDS(ON) = 0.55 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

Другие IGBT... CEU83A3G, CEU840A, CEU84A4, CEU85A3, CEU93A3, CEUF634, CEUF640, CED73A3G, IRF1404, CED75A3, CED830G, CED83A3, CED83A3G, CED840A, CED84A4, CED85A3, CED93A3