CED83A3G - описание и поиск аналогов

 

CED83A3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED83A3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED83A3G

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED83A3G даташит

 ..1. Size:380K  cet
 ced83a3g ceu83a3g.pdf pdf_icon

CED83A3G

CED83A3G/CEU83A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX

 ..2. Size:393K  cet
 ceu83a3g ced83a3g.pdf pdf_icon

CED83A3G

CED83A3G/CEU83A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX

 7.1. Size:234K  cet
 ceu83a3 ced83a3.pdf pdf_icon

CED83A3G

CED83A3/CEU83A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 80A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:394K  cet
 ceu830g ced830g.pdf pdf_icon

CED83A3G

CED830G/CEU830G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 500V, 4.5A, RDS(ON) = 1.5 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 , CED73A3G , CED740A , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , IRFP260N , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.