CED85A3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED85A3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED85A3
CED85A3 Datasheet (PDF)
ceu85a3 ced85a3.pdf

CED85A3/CEU85A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 80A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM R
Другие MOSFET... CED73A3G , CED740A , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , IRFB4115 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 .
History: AM3402N
History: AM3402N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437