Справочник MOSFET. CED85A3

 

CED85A3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED85A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED85A3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED85A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  cet
 ceu85a3 ced85a3.pdf pdf_icon

CED85A3

CED85A3/CEU85A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 80A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие MOSFET... CED73A3G , CED740A , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , P55NF06 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 .

History: MDD4N60BRH | FQPF9N50T | DMP56D0UV | IXKK85N60C | GSM2354 | FDD5N50F | MDU1517RH

 

 
Back to Top

 


 
.