Справочник MOSFET. CED93A3

 

CED93A3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED93A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED93A3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED93A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  cet
 ceu93a3 ced93a3.pdf pdf_icon

CED93A3

CED93A3/CEU93A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 125A, RDS(ON) = 3.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)S

Другие MOSFET... CED740A , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , IRFB4227 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 .

 

 
Back to Top

 


 
.