CED93A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED93A3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED93A3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED93A3 даташит

 ..1. Size:412K  cet
 ceu93a3 ced93a3.pdf pdf_icon

CED93A3

CED93A3/CEU93A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 125A, RDS(ON) = 3.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S

Другие IGBT... CED740A, CED75A3, CED830G, CED83A3, CED83A3G, CED840A, CED84A4, CED85A3, 10N60, CEDF634, CEDF640, CEE02N6A, CEE02N6G, CEG2288, CEG8205A, CEG8208, CEH2288