Справочник MOSFET. CEH8205

 

CEH8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEH8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для CEH8205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  cet
 ceh8205.pdf pdf_icon

CEH8205

CEH8205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 5.2A , RDS(ON) TYP = 25 m @VGS = 4.5V. RDS(ON) TYP = 30m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead free product is acquired.D2(5)D1(2)TSOP-6 package.Halogen free.456G1(6) G2(4)321 S1(1) S2(3)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

Другие MOSFET... CEM3120 , CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 , CEC8218 , CEF05N6 , CEF10N65 , CEF12N65 , IRFZ24N , CEM2539 , CEM73A3G , CEZ3R03 , CEM7808 , CEP10N65 , CEP12N65 , CES2336 , CEM3128 .

History: 2SK1352 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | IPB530N15N3G | CS10N65FA9HD | TPCA8101 | 9N90G-T3P-T

 

 
Back to Top

 


 
.