Справочник MOSFET. CEH8205

 

CEH8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEH8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для CEH8205

 

 

CEH8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  cet
 ceh8205.pdf

CEH8205 CEH8205

CEH8205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 5.2A , RDS(ON) TYP = 25 m @VGS = 4.5V. RDS(ON) TYP = 30m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead free product is acquired.D2(5)D1(2)TSOP-6 package.Halogen free.456G1(6) G2(4)321 S1(1) S2(3)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top