CEH8205 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEH8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для CEH8205
CEH8205 Datasheet (PDF)
ceh8205.pdf
CEH8205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 5.2A , RDS(ON) TYP = 25 m @VGS = 4.5V. RDS(ON) TYP = 30m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead free product is acquired.D2(5)D1(2)TSOP-6 package.Halogen free.456G1(6) G2(4)321 S1(1) S2(3)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles
Другие MOSFET... CEM3120 , CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 , CEC8218 , CEF05N6 , CEF10N65 , CEF12N65 , TK10A60D , CEM2539 , CEM73A3G , CEZ3R03 , CEM7808 , CEP10N65 , CEP12N65 , CES2336 , CEM3128 .
History: NP60N055VUK | STD8N80K5 | SRM4N70 | NP75N04VUK | AON7264E | SQJ964EP | IPI80N06S2-07
History: NP60N055VUK | STD8N80K5 | SRM4N70 | NP75N04VUK | AON7264E | SQJ964EP | IPI80N06S2-07
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897


