CEH8205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEH8205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для CEH8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH8205 даташит

 ..1. Size:658K  cet
 ceh8205.pdf pdf_icon

CEH8205

CEH8205 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 5.2A , RDS(ON) TYP = 25 m @VGS = 4.5V. RDS(ON) TYP = 30m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. D2(5) D1(2) TSOP-6 package. Halogen free. 4 5 6 G1(6) G2(4) 3 2 1 S1(1) S2(3) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

Другие IGBT... CEM3120, CEA3252, CEB10N65, CEB12N65, CEC8218, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65, TK10A60D, CEM2539, CEM73A3G, CEZ3R03, CEM7808, CEP10N65, CEP12N65, CES2336, CEM3128