CEM3178 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEM3178  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEM3178

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3178 даташит

 ..1. Size:387K  cet
 cem3178.pdf pdf_icon

CEM3178

CEM3178 PRELIMINARY Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

 8.1. Size:372K  cet
 cem3172.pdf pdf_icon

CEM3178

CEM3172 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 8.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

 9.1. Size:505K  cet
 cem3138.pdf pdf_icon

CEM3178

CEM3138 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 9.1A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V. 30V, 6.9A, RDS(ON) = 26m @VGS = 10V. RDS(ON) = 35m @VGS = 4.5V. D1 D1 D2 D2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface mount Pac

 9.2. Size:615K  cet
 cem3109.pdf pdf_icon

CEM3178

CEM3109 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRELIMINARY FEATURES 30V, 10A, RDS(ON) = 14m @VGS = 10V. RDS(ON) = 20m @VGS = 4.5V. -30V, -8A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V. D1 D1 D2 D2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEZ3R03, CEM7808, CEP10N65, CEP12N65, CES2336, CEM3128, CEM3138, CEM3172, AO3407, CEM3252, CEM3252L, CEM3254, CEM3258, CEM3259, CEM4042, CEM4204, CEM4228