Справочник MOSFET. CEM3258

 

CEM3258 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM3258
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3258 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  cet
 cem3258.pdf pdf_icon

CEM3258

CEM3258Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES530V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

 8.1. Size:610K  cet
 cem3259.pdf pdf_icon

CEM3258

CEM3259Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES530V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V.-30V, -5.9A, RDS(ON) = 36m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D28 7 6 5High power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surfac

 8.2. Size:408K  cet
 cem3254.pdf pdf_icon

CEM3258

CEM3254N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V ,7.8A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V.D D D DSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).8 7 6 5High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GSO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.3. Size:390K  cet
 cem3252.pdf pdf_icon

CEM3258

CEM3252N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 7.5A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK2689-01MR | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | CS5N90 | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.