CEM3259. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM3259

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6(5.9) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4(5) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125(150) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM3259

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3259 даташит

 ..1. Size:610K  cet
 cem3259.pdf pdf_icon

CEM3259

CEM3259 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. -30V, -5.9A, RDS(ON) = 36m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surfac

 8.1. Size:408K  cet
 cem3254.pdf pdf_icon

CEM3259

CEM3254 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V ,7.8A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. D D D D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G SO-8 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.2. Size:301K  cet
 cem3258.pdf pdf_icon

CEM3259

CEM3258 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

 8.3. Size:390K  cet
 cem3252.pdf pdf_icon

CEM3259

CEM3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 7.5A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM3128, CEM3138, CEM3172, CEM3178, CEM3252, CEM3252L, CEM3254, CEM3258, STF13NM60N, CEM4042, CEM4204, CEM4228, CEM4269, CEM4279, CEM4282, CEM4308, CEM6056