Справочник MOSFET. CEM6088

 

CEM6088 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM6088
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM6088

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM6088 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  cet
cem6088.pdfpdf_icon

CEM6088

CEM6088PRELIMINARYDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 9.5A, RDS(ON) = 12.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.D1 D1 D2 D2Surface mount Package.8 7 6 5SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

 0.1. Size:399K  cet
cem6088l.pdfpdf_icon

CEM6088

CEM6088LPRELIMINARYDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 9.0A, RDS(ON) = 14.5m @VGS = 10V. RDS(ON) = 18.0m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:407K  cet
cem6086l.pdfpdf_icon

CEM6088

CEM6086LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 12A, RDS(ON) = 12m @VGS = 10V. RDS(ON) = 15m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

 8.2. Size:407K  cet
cem6086.pdfpdf_icon

CEM6088

CEM6086PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 12A, RDS(ON) = 11.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D D D D8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter

Другие MOSFET... CEM4228 , CEM4269 , CEM4279 , CEM4282 , CEM4308 , CEM6056 , CEM6086 , CEM6086L , RU7088R , CEM6088L , CEM6186 , CEM6188 , CEM6426 , CEM6428 , CEM6600 , CEM6608 , CEM6659 .

History: HFP12N65U | HUF76419S3ST | SVS60R360FJDE3 | AO4448 | PJL9801 | BL8N60-A | IPB017N06N3G

 

 
Back to Top

 


 
.