CEM6186. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM6186

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM6186

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM6186 даташит

 ..1. Size:402K  cet
 cem6186.pdf pdf_icon

CEM6186

CEM6186 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 8A, RDS(ON) = 26m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

 8.1. Size:408K  cet
 cem6188.pdf pdf_icon

CEM6186

CEM6188 PRELIMINARY Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 7.3A, RDS(ON) = 26m @VGS = 10V. RDS(ON) = 35m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... CEM4279, CEM4282, CEM4308, CEM6056, CEM6086, CEM6086L, CEM6088, CEM6088L, IRF830, CEM6188, CEM6426, CEM6428, CEM6600, CEM6608, CEM6659, CEM7350, CEM7350L