CEM6608
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEM6608
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 4
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 12
nC
trⓘ -
Время нарастания: 2.5
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 123
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076
Ohm
Тип корпуса:
SO8
Аналог (замена) для CEM6608
CEM6608
Datasheet (PDF)
..1. Size:641K cet
cem6608.pdf 
CEM6608Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4A, RDS(ON) = 76m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles
8.1. Size:651K cet
cem6600.pdf 
CEM6600N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4A, RDS(ON) = 76m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise
8.2. Size:424K cet
cem6601.pdf 
CEM6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -4A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other
8.3. Size:425K cet
cem6607.pdf 
CEM6607Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-60V, -3.8A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATI
8.4. Size:787K cn vbsemi
cem6601.pdf 
CEM6601www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.050RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.060ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETE
Другие MOSFET... WPB4002
, FDM15-06KC5
, FQD2N60CTM
, FDM47-06KC5
, FDPF045N10A
, FMD15-06KC5
, FDMS8672S
, FMD21-05QC
, IRFP250N
, FDMS86368F085
, FMD47-06KC5
, FDBL86361F085
, FMK75-01F
, FMM110-015X2F
, FMM150-0075X2F
, FMM22-05PF
, FMM22-06PF
.
