CEM6608. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM6608

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM6608

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM6608 даташит

 ..1. Size:641K  cet
 cem6608.pdf pdf_icon

CEM6608

CEM6608 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4A, RDS(ON) = 76m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

 8.1. Size:651K  cet
 cem6600.pdf pdf_icon

CEM6608

CEM6600 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4A, RDS(ON) = 76m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise

 8.2. Size:424K  cet
 cem6601.pdf pdf_icon

CEM6608

CEM6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -4A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

 8.3. Size:425K  cet
 cem6607.pdf pdf_icon

CEM6608

CEM6607 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -60V, -3.8A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM6086L, CEM6088, CEM6088L, CEM6186, CEM6188, CEM6426, CEM6428, CEM6600, K2611, CEM6659, CEM7350, CEM7350L, CEM8208, CEM8809, CEM8958, CEM8958A, CEM8968