Справочник MOSFET. CEM9926A

 

CEM9926A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM9926A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM9926A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM9926A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  cet
cem9926a.pdfpdf_icon

CEM9926A

CEM9926ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

 7.1. Size:843K  cn vbsemi
cem9926.pdfpdf_icon

CEM9926A

CEM9926www.VBsemi.twDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D2

 9.1. Size:141K  cet
cem9953a.pdfpdf_icon

CEM9926A

CEM9953ADual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES5-30V, -3.5A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 130m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

 9.2. Size:139K  cet
cem9936a.pdfpdf_icon

CEM9926A

CEM9936ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES530V, 5.4A, RDS(ON) = 40m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C

Другие MOSFET... CEM7350 , CEM7350L , CEM8208 , CEM8809 , CEM8958 , CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , IRFZ44N , CEM9935A , CEM9936A , CEN7002A , CES2302 , CES2306 , CES2308 , CES2310 , CES2312 .

History: CHM6031LPAGP | MTP7N20 | ME1302AT3 | 2SK2325 | PE5G5EA | IRFU1N60APBF | FHA150N06C

 

 
Back to Top

 


 
.