CEM9935A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM9935A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM9935A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM9935A даташит

 ..1. Size:141K  cet
 cem9935a.pdf pdf_icon

CEM9935A

CEM9935A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 20V, 6.0A, RDS(ON) = 36m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 75m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 AB

 8.1. Size:139K  cet
 cem9936a.pdf pdf_icon

CEM9935A

CEM9936A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 5.4A, RDS(ON) = 40m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C

 8.2. Size:897K  cn vbsemi
 cem9936a.pdf pdf_icon

CEM9935A

CEM9936A www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 9.1. Size:141K  cet
 cem9953a.pdf pdf_icon

CEM9935A

CEM9953A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 -30V, -3.5A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 130m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM7350L, CEM8208, CEM8809, CEM8958, CEM8958A, CEM8968, CEM9436A, CEM9926A, IRF3205, CEM9936A, CEN7002A, CES2302, CES2306, CES2308, CES2310, CES2312, CES2314