CES2312. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CES2312

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для CES2312

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CES2312 даташит

 ..1. Size:275K  cet
 ces2312.pdf pdf_icon

CES2312

CES2312 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 4.5A, RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Vo

 8.1. Size:390K  cet
 ces2317.pdf pdf_icon

CES2312

CES2317 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -3.1A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 120m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). D Rugged and reliable. Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Par

 8.2. Size:141K  cet
 ces2316.pdf pdf_icon

CES2312

CES2316 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 4.8A, RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Lead free product is acquired. D Rugged and reliable. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Vol

 8.3. Size:1084K  cet
 ces2310.pdf pdf_icon

CES2312

CES2310 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 4.8A, RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 38m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 50m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = 1.8V. D High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C u

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM9926A, CEM9935A, CEM9936A, CEN7002A, CES2302, CES2306, CES2308, CES2310, IRFP460, CES2314, CES2316, CES2320, CES2324, CES2342, CES2362, CET0215, CET04N10