CEB12P10
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEB12P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 11
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 15.6
nC
trⓘ -
Время нарастания: 12
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315
Ohm
Тип корпуса:
TO263
Аналог (замена) для CEB12P10
CEB12P10
Datasheet (PDF)
..1. Size:126K cet
cep12p10 ceb12p10.pdf 
CEP12P10/CEB12P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -11A, RDS(ON) =315m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
9.1. Size:411K cet
cep12n6 ceb12n6 cef12n6.pdf 
CEP12N6/CEB12N6 CEF12N6PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP12N6 600V 0.65 12A 10VCEB12N6 600V 0.65 12A 10VCEF12N6 600V 0.65 12A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES
9.2. Size:396K cet
cep12n5 ceb12n5 cef12n5.pdf 
CEP12N5/CEB12N5 CEF12N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP12N5 500V 0.54 12A 10VCEB12N5 500V 0.54 12A 10VCEF12N5 500V 0.54 12A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES
9.3. Size:386K cet
cep12n65 ceb12n65 cef12n65.pdf 
CEP12N65/CEB12N65CEF12N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP12N65 650V 0.73 12A 10VCEB12N65 650V 0.73 12A 10VCEF12N65 650V 0.73 12A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES C
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
