CED12P10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CED12P10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CED12P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED12P10 даташит

 ..1. Size:252K  cet
 ced12p10 ceu12p10.pdf pdf_icon

CED12P10

CED12P10/CEU12P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -9A, RDS(ON) = 315m @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 9.1. Size:410K  cet
 ceu12n10 ced12n10.pdf pdf_icon

CED12P10

CED12N10/CEU12N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 9.2. Size:411K  cet
 ced12n10 ceu12n10.pdf pdf_icon

CED12P10

CED12N10/CEU12N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 9.3. Size:571K  cet
 ceu12n10l ced12n10l.pdf pdf_icon

CED12P10

CED12N10L/CEU12N10L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 11A, RDS(ON) = 175m @VGS = 10V. RDS(ON) = 185m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEB20P10, CEB30P03, CEB35P10, CEB50P03, CEB6601, CEB95P04, CED05P03, CED11P20, K3569, CED20P06, CED20P10, CED2303, CED30P10, CED3301, CED3423, CED4201, CED4301