CED4311 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED4311
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED4311 Datasheet (PDF)
ced4311 ceu4311.pdf
CED4311/CEU4311 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -33A, RDS(ON) = 18m @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX
ced4301 ceu4301.pdf
CED4301/CEU4301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -20A, RDS(ON) = 42m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , 5N65 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 .
History: AP6G03LI
History: AP6G03LI
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281



