Справочник MOSFET. CEM3053

 

CEM3053 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEM3053

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 148 nC

Время нарастания (tr): 17 ns

Выходная емкость (Cd): 1145 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM3053

 

 

CEM3053 Datasheet (PDF)

1.1. cem3053.pdf Size:385K _cet

CEM3053
CEM3053

CEM3053 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -15A, RDS(ON) = 7mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 15mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. ESD Protected: 4000 V SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUT

5.1. cem3060.pdf Size:418K _cet

CEM3053
CEM3053

CEM3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 14A, RDS(ON) = 7.8mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5mΩ @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherw

5.2. cem3032.pdf Size:618K _cet

CEM3053
CEM3053

CEM3032 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 18A, RDS(ON) = 4.8mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8mΩ @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

 5.3. cem3083.pdf Size:384K _cet

CEM3053
CEM3053

CEM3083 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -13A, RDS(ON) = 10mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 15.5mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top