Справочник MOSFET. CEM3053

 

CEM3053 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEM3053

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 148 nC

Время нарастания (tr): 17 ns

Выходная емкость (Cd): 1145 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM3053

 

 

CEM3053 Datasheet (PDF)

..1. cem3053.pdf Size:385K _cet

CEM3053 CEM3053

CEM3053P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 7m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package. ESD Protected: 4000 VSO-81 2 3 41 S S S GABSOLUT

9.1. cem3060.pdf Size:418K _cet

CEM3053 CEM3053

CEM3060N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 14A, RDS(ON) = 7.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherw

9.2. cem3032.pdf Size:618K _cet

CEM3053 CEM3053

CEM3032N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 18A, RDS(ON) = 4.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

 9.3. cem3083.pdf Size:617K _cet

CEM3053 CEM3053

CEM3083P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -13A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15.5m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

Другие MOSFET... CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , IRF530N , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , CEM3407L , CEM4201 , CEM4207 .

 

 
Back to Top