CEM3053 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEM3053  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEM3053

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3053 даташит

 ..1. Size:385K  cet
 cem3053.pdf pdf_icon

CEM3053

CEM3053 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -15A, RDS(ON) = 7m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. ESD Protected 4000 V SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUT

 9.1. Size:617K  cet
 cem3083.pdf pdf_icon

CEM3053

CEM3083 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -13A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15.5m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

 9.2. Size:618K  cet
 cem3032.pdf pdf_icon

CEM3053

CEM3032 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 18A, RDS(ON) = 4.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

 9.3. Size:418K  cet
 cem3060.pdf pdf_icon

CEM3053

CEM3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 14A, RDS(ON) = 7.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEH2321A, CEH2331, CEH3456, CEM2163, CEM2187, CEM2281, CEM2401, CEM2407, 5N60, CEM3083, CEM3301, CEM3307, CEM3317, CEM3405L, CEM3407L, CEM4201, CEM4207