Справочник MOSFET. CEM3053

 

CEM3053 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM3053
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 128 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM3053

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3053 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  cet
cem3053.pdfpdf_icon

CEM3053

CEM3053P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 7m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package. ESD Protected: 4000 VSO-81 2 3 41 S S S GABSOLUT

 9.1. Size:617K  cet
cem3083.pdfpdf_icon

CEM3053

CEM3083P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -13A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15.5m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

 9.2. Size:618K  cet
cem3032.pdfpdf_icon

CEM3053

CEM3032N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 18A, RDS(ON) = 4.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

 9.3. Size:418K  cet
cem3060.pdfpdf_icon

CEM3053

CEM3060N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 14A, RDS(ON) = 7.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherw

Другие MOSFET... CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , 13N50 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , CEM3407L , CEM4201 , CEM4207 .

History: 3SK38A | SM2A18NSV | ME60N03

 

 
Back to Top

 


 
.