Справочник MOSFET. CEM3317

 

CEM3317 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEM3317
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9(6.2) A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 6(4) ns
   Выходная емкость (Cd): 250(155) pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для CEM3317

 

 

CEM3317 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  cet
cem3317.pdf

CEM3317
CEM3317

CEM3317P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.-30V, -4.9A, RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D1 D1 D2 D28 7 6 5High power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surfa

 9.1. Size:455K  cet
cem3307.pdf

CEM3317
CEM3317

CEM3307P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

 9.2. Size:440K  cet
cem3301.pdf

CEM3317
CEM3317

CEM3301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -7.0A, RDS(ON) = 32m @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless othe

 9.3. Size:866K  cn vbsemi
cem3307.pdf

CEM3317
CEM3317

CEM3307www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top