CEM4207 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEM4207
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO8
CEM4207 Datasheet (PDF)
1.1. cem4207.pdf 
Size:441K _cet
CEM4207 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -40V, -7A, RDS(ON) = 30m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 40m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 2
4.1. cem4201.pdf Size:411K _cet
CEM4201 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -7.5A, RDS(ON) = 28m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 38m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise n
4.2. cem4204.pdf Size:407K _cet
CEM4204 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 7.3A, RDS(ON) = 28m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
