Справочник MOSFET. CEM8435A

 

CEM8435A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM8435A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM8435A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8435A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  cet
 cem8435a.pdf pdf_icon

CEM8435A

CEM8435AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -7.9A, RDS(ON) = 24m @VGS = -10V. RDS(ON) = 40m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

Другие MOSFET... CEM4953 , CEM4953A , CEM4953H , CEM6601 , CEM6607 , CEM6861 , CEM6867 , CEM8311 , IRF1405 , CEM9407A , CEM9435 , CEM9435A , CEM9953A , CEN2301 , CEP05P03 , CEP12P10 , CEP14P20 .

History: DMP210DUFB4 | ME7810S-G

 

 
Back to Top

 


 
.