CEM8435A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM8435A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM8435A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8435A даташит

 ..1. Size:156K  cet
 cem8435a.pdf pdf_icon

CEM8435A

CEM8435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -7.9A, RDS(ON) = 24m @VGS = -10V. RDS(ON) = 40m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

Другие IGBT... CEM4953, CEM4953A, CEM4953H, CEM6601, CEM6607, CEM6861, CEM6867, CEM8311, IRF830, CEM9407A, CEM9435, CEM9435A, CEM9953A, CEN2301, CEP05P03, CEP12P10, CEP14P20