CEM8435A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEM8435A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для CEM8435A
CEM8435A Datasheet (PDF)
cem8435a.pdf

CEM8435AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -7.9A, RDS(ON) = 24m @VGS = -10V. RDS(ON) = 40m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth
Другие MOSFET... CEM4953 , CEM4953A , CEM4953H , CEM6601 , CEM6607 , CEM6861 , CEM6867 , CEM8311 , P0903BDG , CEM9407A , CEM9435 , CEM9435A , CEM9953A , CEN2301 , CEP05P03 , CEP12P10 , CEP14P20 .
History: SSM6K31FE | SVG10120NADTR
History: SSM6K31FE | SVG10120NADTR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor