CEP35P10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEP35P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для CEP35P10
CEP35P10 Datasheet (PDF)
cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf

CEP35P10/CEB35P10CEF35P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -32A, RDS(ON) =76m @VGS = -10V. RDS(ON) =92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... CEN2301 , CEP05P03 , CEP12P10 , CEP14P20 , CEP15P15 , CEP20P06 , CEP20P10 , CEP30P03 , IRFP064N , CEP50P03 , CEP6601 , CEP95P04 , CES2301 , CES2303 , CES2305 , CES2307 , CES2307A .
History: FHD5N60A | HM4437 | CJQ7328 | PSMN3R3-80ES | IXTR36P15P | DH150N12D | HM3401D
History: FHD5N60A | HM4437 | CJQ7328 | PSMN3R3-80ES | IXTR36P15P | DH150N12D | HM3401D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360