CEP35P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEP35P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEP35P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP35P10 даташит

 ..1. Size:395K  cet
 cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf pdf_icon

CEP35P10

CEP35P10/CEB35P10 CEF35P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -32A, RDS(ON) =76m @VGS = -10V. RDS(ON) =92m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... CEN2301, CEP05P03, CEP12P10, CEP14P20, CEP15P15, CEP20P06, CEP20P10, CEP30P03, AO4468, CEP50P03, CEP6601, CEP95P04, CES2301, CES2303, CES2305, CES2307, CES2307A