CEP35P10 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEP35P10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEP35P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP35P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP35P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cet
 cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf pdf_icon

CEP35P10

CEP35P10/CEB35P10CEF35P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -32A, RDS(ON) =76m @VGS = -10V. RDS(ON) =92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... CEN2301 , CEP05P03 , CEP12P10 , CEP14P20 , CEP15P15 , CEP20P06 , CEP20P10 , CEP30P03 , IRF730 , CEP50P03 , CEP6601 , CEP95P04 , CES2301 , CES2303 , CES2305 , CES2307 , CES2307A .

History: DAMI280N200 | 2N6661SM | 2N6661 | IRFH8325PBF | IRFD120PBF | P1820BD | IXTM10N60A

 

 
Back to Top

 


 
.