FDN340P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDN340P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SUPERSOT3

Аналог (замена) для FDN340P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDN340P даташит

 ..1. Size:248K  fairchild semi
 fdn340p.pdf pdf_icon

FDN340P

FDN340P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel Logic Level MOSFET is produced 2A, 20 V R =70 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS using Fairchld Semiconductor advanced Power Trench i process that has been especially talored to minimize R = 110 m @ V = 2.5 V i DS(ON) GS the on-state resistance and yet maint

 ..2. Size:206K  onsemi
 fdn340p.pdf pdf_icon

FDN340P

September 200 February 2007 FDN340P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel Logic Level MOSFET is produced 2A, 20 V R =70 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench R = 110 m @ V = 2.5 V DS(ON) GS process that has been especially tailored to minimize the on-sta

 ..3. Size:401K  umw-ic
 fdn340p.pdf pdf_icon

FDN340P

R UMW UMW FDN340P MOSFETS SOT-23 Plastic-Encapsulate P-Channel 20-V(D-S) MOSFET FDN340P V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 70m @ -4.5V -20 V -2A 110m @ -2.5V 210m @ -1.8V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery protection Supper high density cell design Load switch Battery management SOT 23 MARKING Equivalent Circuit 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN

 ..4. Size:330K  cn shikues
 fdn340p.pdf pdf_icon

FDN340P

FDN340P P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature -20V/-2A, RDS(ON) GS = 120m (MAX) @V = -4.5V. DS(ON) GS R = 150m (MAX) @V = -2.5V. DS(ON) Super High dense cell design for extremely low R Reliable and Rugged SOT-23 SOT-23 for Surface Mount Package Applications Power Management Portable Equipment and Battery Powered Systems. A T =25 Unless O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDG6302P, FDG6303N, FDG6304P, FDN335N, FDN336P, FDN337N, FDN338P, FDN339AN, K2611, FDN357N, FDN358P, FDN359AN, FDN360P, FDN361AN, FDP4020P, FDP4030L, FDP5680