Справочник MOSFET. CEP6601

 

CEP6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEP6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для CEP6601

 

 

CEP6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cet
 cep6601 ceb6601 cef6601.pdf

CEP6601 CEP6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top