Справочник MOSFET. CEP6601

 

CEP6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cet
 cep6601 ceb6601 cef6601.pdf pdf_icon

CEP6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... CEP12P10 , CEP14P20 , CEP15P15 , CEP20P06 , CEP20P10 , CEP30P03 , CEP35P10 , CEP50P03 , IRFZ44N , CEP95P04 , CES2301 , CES2303 , CES2305 , CES2307 , CES2307A , CES2309 , CES2313 .

History: L2N7002KN3T5G | AP73T03GJ-HF | OSG65R140KSZF | PM5H7EA | LSB60R030HT | IPD50R1K4CE | BSC100N03MSG

 

 
Back to Top

 


 
.