KF80N08P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KF80N08P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 228 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для KF80N08P
KF80N08P Datasheet (PDF)
kf80n08p f.pdf

KF80N08P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF80N08PAIt s mainly suitable for low voltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXQC 1.3+0.1/-0.05_FEATURES I+D 0.8 0.1_E 3.6 + 0.2VDSS= 75V, I
Другие MOSFET... KTK5133S , KTK5134S , KTK5162S , KTK5164S , KTK5164U , KF70N06F , KF70N06P , KF80N08F , 13N50 , KMA010P20Q , KMA2D0DP20X , KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X .
History: CSP08N6P5 | GSM1072E | RU1H36R | IPB065N10N3G | SSM3K7002BFS | NCEP01T12 | OSG95R500FF
History: CSP08N6P5 | GSM1072E | RU1H36R | IPB065N10N3G | SSM3K7002BFS | NCEP01T12 | OSG95R500FF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent