Справочник MOSFET. KF80N08P

 

KF80N08P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KF80N08P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 107 nC
   trⓘ - Время нарастания: 228 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для KF80N08P

 

 

KF80N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  kec
 kf80n08p f.pdf

KF80N08P KF80N08P

KF80N08P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF80N08PAIt s mainly suitable for low voltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXQC 1.3+0.1/-0.05_FEATURES I+D 0.8 0.1_E 3.6 + 0.2VDSS= 75V, I

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top