Справочник MOSFET. KMB030N30D

 

KMB030N30D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMB030N30D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для KMB030N30D

 

 

KMB030N30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  kec
 kmb030n30d.pdf

KMB030N30D KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB030N30DTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,portable equipment and battery powered systems.AHDIM MILLIMETERSJC D_6.6 0.2A +_B 6.1 + 0.2_C 5.33 + 0.1FEATURES _1.08 0.2D +_E 2.92 + 0.3BVDSS=30V, ID=30A._F 2.28 0.1

 9.1. Size:798K  kec
 kmb035n40dc.pdf

KMB030N30D KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB035N40DCTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheA KDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and powerLC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20Supply._C 5.34 + 0.30_D 0.70

 9.2. Size:814K  kec
 kmb035n40db.pdf

KMB030N30D KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB035N40DBTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheAcharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and Power KDIM MILLIMETERSLC D_A 6.60 + 0.20Supply._B 6.10 + 0.20_C 5.34 + 0.30_D 0.70

 9.3. Size:823K  kec
 kmb035n40da.pdf

KMB030N30D KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB035N40DATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheA KDIM MILLIMETERSLcharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and PowerC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20Supply._C 5.34 + 0.30_D 0.70

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top