KMB030N30D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KMB030N30D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 23.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для KMB030N30D
KMB030N30D Datasheet (PDF)
kmb030n30d.pdf
SEMICONDUCTOR KMB030N30DTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,portable equipment and battery powered systems.AHDIM MILLIMETERSJC D_6.6 0.2A +_B 6.1 + 0.2_C 5.33 + 0.1FEATURES _1.08 0.2D +_E 2.92 + 0.3BVDSS=30V, ID=30A._F 2.28 0.1
kmb035n40dc.pdf
SEMICONDUCTOR KMB035N40DCTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheA KDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and powerLC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20Supply._C 5.34 + 0.30_D 0.70
kmb035n40db.pdf
SEMICONDUCTOR KMB035N40DBTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheAcharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and Power KDIM MILLIMETERSLC D_A 6.60 + 0.20Supply._B 6.10 + 0.20_C 5.34 + 0.30_D 0.70
kmb035n40da.pdf
SEMICONDUCTOR KMB035N40DATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheA KDIM MILLIMETERSLcharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and PowerC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20Supply._C 5.34 + 0.30_D 0.70
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918