KMB030N30D - описание и поиск аналогов

 

KMB030N30D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMB030N30D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для KMB030N30D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB030N30D даташит

 ..1. Size:459K  kec
kmb030n30d.pdfpdf_icon

KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB030N30D TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for power management in PC, portable equipment and battery powered systems. A H DIM MILLIMETERS J C D _ 6.6 0.2 A + _ B 6.1 + 0.2 _ C 5.33 + 0.1 FEATURES _ 1.08 0.2 D + _ E 2.92 + 0.3 B VDSS=30V, ID=30A. _ F 2.28 0.1

 9.1. Size:798K  kec
kmb035n40dc.pdfpdf_icon

KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB035N40DC TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche A K DIM MILLIMETERS characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 Supply. _ C 5.34 + 0.30 _ D 0.70

 9.2. Size:814K  kec
kmb035n40db.pdfpdf_icon

KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB035N40DB TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche A characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and Power K DIM MILLIMETERS L C D _ A 6.60 + 0.20 Supply. _ B 6.10 + 0.20 _ C 5.34 + 0.30 _ D 0.70

 9.3. Size:823K  kec
kmb035n40da.pdfpdf_icon

KMB030N30D

SEMICONDUCTOR KMB035N40DA TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche A K DIM MILLIMETERS L characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and Power C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 Supply. _ C 5.34 + 0.30 _ D 0.70

Другие MOSFET... KMA4D5P20XA , KMA5D8DP20Q , KMA6D5P20Q , KMA7D0NP30Q , KMB010P30QA , KMB012N30Q , KMB012N40DA , KMB014P30QA , IRFZ24N , KMB035N40DB , KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.