Справочник MOSFET. KMB060N40BA

 

KMB060N40BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMB060N40BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для KMB060N40BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB060N40BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  kec
 kmb060n40ba.pdf pdf_icon

KMB060N40BA

SEMICONDUCTOR KMB060N40BATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionKLAThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power_A 9.95 + 0.05B_B 9.2 + 0.1Supply.DC 8.00_15.3 0.2D +P

 7.1. Size:76K  kec
 kmb060n60pa fa.pdf pdf_icon

KMB060N40BA

KMB060N60PA/FASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KMB060N60PAAIt s mainly suitable for low viltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 60V, ID= 60A I+D 0.8 0.1

Другие MOSFET... KMB014P30QA , KMB030N30D , KMB035N40DB , KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , IRFZ48N , KMB060N60FA , KMB060N60PA , KMB080N75PA , KMB2D0N60SA , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA .

History: SSH5N90A | SML1001R3HN | HY1906C2

 

 
Back to Top

 


 
.