FDP5690 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP5690
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO220
FDP5690 Datasheet (PDF)
fdp5690 fdb5690.pdf
July 2000FDP5690/FDB569060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.032 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev
fdp5680 fdb5680.pdf
July 2000FDP5680/FDB568060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 40 A, 60 V. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.023 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev
fdb5645 fdp5645.pdf
March 2000FDP5645/FDB564560V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 80 A, 60 V. RDS(ON) = 0.0095 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.011 @ VGS = 6 V.converters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Critical DC electrical parameters
Другие MOSFET... FDN357N , FDN358P , FDN359AN , FDN360P , FDN361AN , FDP4020P , FDP4030L , FDP5680 , IRF730 , FDP6030BL , FDP6030L , FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL , FDP7030BL , FDP7030L .
