KF50N06P - описание и поиск аналогов

 

KF50N06P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF50N06P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0142 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KF50N06P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF50N06P даташит

 ..1. Size:63K  kec
 kf50n06p.pdf pdf_icon

KF50N06P

KF50N06P SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS G _ correction , electronic lamp ballasts based on hal

Другие MOSFET... KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , KF17N50N , IRF640N , KTK919S , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.