Справочник MOSFET. KF50N06P

 

KF50N06P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF50N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0142 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KF50N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF50N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  kec
 kf50n06p.pdf pdf_icon

KF50N06P

KF50N06PSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERSG_correction , electronic lamp ballasts based on hal

Другие MOSFET... KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , KF17N50N , IRF630 , KTK919S , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA .

 

 
Back to Top

 


 
.